00553-2014-0003
Технически редакции | ||
20.08.2014 09:26 ч. : | промяна преди публикуване | |
затвори |
Технически редакции | ||
20.08.2014 09:24 ч. : | 19/08/2014 17:30 | промяна преди публикуване |
затвори |
Технически редакции | ||
20.08.2014 09:24 ч. : | 19/08/2014 17:30 | промяна преди публикуване |
затвори |
Технически редакции | ||
20.08.2014 09:31 ч. : | промяна преди публикуване | |
затвори |
BG-гр.София: Покупка
Доставки
Институт по физика на твърдото тяло, гр.София, бул."Цариградско шосе", №72, За: доц. Емил Влахов, България 1784, гр.София, Тел.: 02 9795733, E-mail: emilvlakhov@issp.bas.bg, Факс: 02 9753632
Място/места за контакт: гр.София, бул."Цариградско шосе" №72Интернет адрес/и:
Основен адрес на възлагащия орган: www.issp.bas.bg..
Адрес на профила на купувача: www.issp.bas.bg/index-bul.html..
Публичноправна организация
Друг: научно-изследователска и иновативна дейност
НЕ
“ДОСТАВКА, МОНТАЖ И ВЪВЕЖДАНЕ В ЕКСПЛОАТАЦИЯ НА АПАРАТУРА ЗА ОТЛАГАНЕ НА НАНОСЛОЕВЕ» ЗА ИНСТИТУТА ПО ФИЗИКА НА ТВЪРДОТО ТЯЛО-БАН
Цел на ОП е оборудването на лаборатория, в която ще се извършва отлагане на нанослоеве от метални оксиди и нитриди. За реализиране на поставената цел следва да се решат последователно следните задачи: - доставка на апаратура за отлагане на нанослоеве; - монтаж в работното помещение, разположено в Института по физика на твърдото тяло (ИФТТ); - монтаж, юстировка и настройване на системата в лабораторни условия; - тестване на апаратурата в лабораторни условия; - монтаж , настройване и тестване на системата в лабораторни условия; -тестване на системата по реални задачи и обекти; - демонстрации и обучение на обслужващ персонал; - изготвяне на потребителска документация (Инструкции за експлоатация); - приемо-предавателни тестове; -предаване на системата, консумативи за тестването и съпътстващата документация на Възложителя. Система за "атомно-слойно отлагане" - atomic layer deposition (ALD), която ще се използва за отлагане на тънки слоеве от метални оксиди, метални нитриди, и други покрития върху различни видове подложки (силициеви пластини до 6-8", по-малки по размер подложки и 3D проби (проби с височина) за нуждите на проект INERA. ALD представлява модифициран процес на химично отлагане от газова фаза, в който цялостната химична реакция се състои от две стъпки, представляващи две последователни и самоограничаващи се реакции. Вместо да има непрекъснат поток от прекурсорни пари, два или повече прекурсори се вкарват в реакторната камера на отделни импулси, отделени от прочистване и това се нарича ALD цикъл. В общият случай, един цикъл се състои от прекурсорна доза, която най-често е метал-съдържащ прекурсор и съвместна доза от реагент, осигуряващ втория компонент на материала (кислород за метални оксиди или азот за метални нитриди). По този начин прекурсорите остават разделени по време на отлагането и така се намалява възможността за химични реакции между реагентите в газова фаза и съответно хомогенност и стехиометричност на отложените слоеве. Този процес позволява прецизен контрол на атомно ниво на дебелината на отлагания слой, съответно много добра равномерност, хомогенност и дава възможност за триразмерно подреждане на сложни наноструктурни повърхности. Позволява ниска температура на отлагане и използване на чувствителни подложки.
38000000
Описание:
Открита
НЕ
ДА
22.07.2014 г.
1
БЕНЕК ООД, фИНЛАНДИЯ, Енсимаинен Саву, FI 01510, Вантаа, фИНЛАНДИЯ FI 01510, Енсимаинен Саву, Тел.: 0358 975995310, Факс: 0358 975995310
НЕ
ДА
Процедурата за възлагане на обществената поръчка се провежда при реализация на Проект: „Повишаване на капацитета на Институт по физика на твърдото тяло - БАН в областта на многофункционалните наноструктури” INERA 316309 FP7-REGPOT-2012-2013-1 -финансиран по Седма Рамкова програма - 316309 INERA FP7-REGPOT-2012-2013-1, Research and Innovation Capacity Strengthening of ISSP-BAS in Multifunctional Nanostructures.
Комисия за защита на конкуренцията, бул. Витоша № 18, Република България 1000, София, Тел.: 02 9884070, E-mail: cpcadmin@cpc.bg, Факс: 02 9807315
Интернет адрес/и:
URL: http://www.cpc.bg.
19.08.2014 г.